Samsung’un Yeni 40 Nanometre Çipi

[Bostandere]

Bilgisayarlara giren çiplerin boyutları artık giderek küçülmek zorunda. Samsung’un da Intel’in Moore Kanunu’na benzeyen kurumsal bir önermesi var. Samsung kuralına göre, NAND flaş disklerin kapasitesi her yıl 2 katına çıkması gerekiyor. Samsung’un 40 nm’lik çipi transistörlerin daha sık ve yoğun yerleştirilmesini ve bu sayede de verinin daha hızlı işlenmesini sağlayacak. Samsung gelecekte Charge Trap Flash (CTF) adını verdiği yeni bir teknikle NAND çiplerini 20 nanometre’ye indirerek belleği 256 GB’ye çıkaracağını açıkladı.

Samsung öte yandan, cep telefonlarındaki mevcut NOR belleklerin yerini alacak PRAM (phase-change RAM) adlı yeni bir çip türü geliştirdiğini açıkladı. Samsung’tan yapılan açıklamada, yeni belleğin veriyi DRAM bellekler gibi depoladığı, buna ek olarak da flaş bellek gibi işlediği belirtildi. PRAM, flaş bellekten 30 kat daha hızlı veri transferi yapıyor, üretimi daha kolay ve kullanım ömrü 10 kat daha uzun. Samsung’un yeni kuşak cep telefonu çipi PRAM belleği 512 Megabit olacak ve 2008’de kullanıma girecek.

Halen cep telefonlarında kullanılan NOR belleklerin en önemli üreticileri Intel ve Spansion firmaları. Samsung böylece bu iki firmayla da rakip konuma gelecek. Mevcut NOR bellekler,